NMOS vs PMOS
A FET (Field Effect Transistor) è un dispositivo controllato in tensione in cui la sua capacità di trasporto di corrente viene modificata applicando un campo elettronico. Un tipo di FET comunemente usato è il FET a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). I MOSFET sono ampiamente utilizzati nei circuiti integrati e nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità. I MOSFET funzionano inducendo un canale conduttore tra due contatti chiamato source e drain applicando una tensione sull'elettrodo di gate isolato con ossido. Esistono due tipi principali di MOSFET chiamati nMOSFET (comunemente noto come NMOS) e pMOSFET (comunemente noto come PMOS) a seconda del tipo di portanti che fluiscono attraverso il canale.
Cos'è NMOS?
Come accennato in precedenza, NMOS (nMOSFET) è un tipo di MOSFET. Un transistor NMOS è composto da source e drain di tipo n e da un substrato di tipo p. Quando viene applicata una tensione al gate, i fori nel corpo (substrato di tipo p) vengono allontanati dal gate. Ciò consente di formare un canale di tipo n tra la sorgente e il pozzo e una corrente viene trasportata dagli elettroni dalla sorgente al pozzo attraverso un canale di tipo n indotto. Si dice che le porte logiche e altri dispositivi digitali implementati utilizzando NMOS abbiano una logica NMOS. Ci sono tre modalità di funzionamento in un NMOS chiamate cut-off, triodo e saturazione. La logica NMOS è facile da progettare e produrre. Ma i circuiti con porte logiche NMOS dissipano la potenza statica quando il circuito è inattivo, poiché la corrente CC scorre attraverso la porta logica quando l'uscita è bassa.
Cos'è il PMOS?
Come accennato in precedenza, PMOS (pMOSFET) è un tipo di MOSFET. Un transistor PMOS è composto da source e drain di tipo p e da un substrato di tipo n. Quando viene applicata una tensione positiva tra il source e il gate (tensione negativa tra gate e source), si forma un canale di tipo p tra il source e il drain con polarità opposte. Una corrente viene trasportata da fori dalla sorgente allo scarico attraverso un canale di tipo p indotto. Un' alta tensione sul gate farà sì che un PMOS non conduca, mentre una bassa tensione sul gate lo farà condurre. Si dice che le porte logiche e altri dispositivi digitali implementati utilizzando PMOS abbiano una logica PMOS. La tecnologia PMOS è a basso costo e ha una buona immunità ai disturbi.
Qual è la differenza tra NMOS e PMOS?
NMOS è costruito con sorgente e scarico di tipo n e un substrato di tipo p, mentre PMOS è costruito con sorgente e scarico di tipo p e un substrato di tipo n. In un NMOS i portatori sono elettroni, mentre in un PMOS i portatori sono buchi. Quando viene applicata un' alta tensione al gate, NMOS condurrà, mentre PMOS no. Inoltre, quando viene applicata una bassa tensione nel gate, NMOS non condurrà e PMOS condurrà. Gli NMOS sono considerati più veloci del PMOS, poiché i portatori in NMOS, che sono elettroni, viaggiano due volte più velocemente dei buchi, che sono i portanti in PMOS. Ma i dispositivi PMOS sono più immuni al rumore rispetto ai dispositivi NMOS. Inoltre, i circuiti integrati NMOS sarebbero più piccoli dei circuiti integrati PMOS (che offrono la stessa funzionalità), poiché l'NMOS può fornire metà dell'impedenza fornita da un PMOS (che ha la stessa geometria e condizioni operative).
