IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono due tipi di dispositivi a semiconduttore con tre terminali. Entrambi sono usati per controllare le correnti e per scopi di commutazione. Entrambi i dispositivi hanno un terminale di controllo chiamato "gate", ma hanno principi di funzionamento diversi.
GTO (tiristore di spegnimento del cancello)
GTO è composto da quattro strati semiconduttori di tipo P e di tipo N e la struttura del dispositivo è leggermente diversa rispetto a un normale tiristore. In analisi, GTO è anche considerato come coppia di transistor accoppiati (uno PNP e l' altro in configurazione NPN), come per i normali tiristori. Tre terminali di GTO sono chiamati 'anodo', 'catodo' e 'gate'.
In funzione, il tiristore agisce in conduzione quando viene fornito un impulso al gate. Ha tre modalità di funzionamento note come "modalità di blocco inverso", "modalità di blocco in avanti" e "modalità di conduzione in avanti". Una volta che il gate viene attivato con l'impulso, il tiristore passa alla "modalità di conduzione in avanti" e continua a condurre fino a quando la corrente diretta non diventa inferiore alla soglia "corrente di mantenimento".
Oltre alle caratteristiche dei normali tiristori, lo stato "off" del GTO è controllabile anche tramite impulsi negativi. Nei normali tiristori, la funzione "off" si verifica automaticamente.
I GTO sono dispositivi di alimentazione e sono utilizzati principalmente in applicazioni a corrente alternata.
Transistor bipolare a gate isolato (IGBT)
IGBT è un dispositivo a semiconduttore con tre terminali noti come "Emitter", "Collector" e "Gate". È un tipo di transistor in grado di gestire una maggiore quantità di potenza e ha una velocità di commutazione più elevata che lo rende altamente efficiente. IGBT è stato introdotto sul mercato negli anni '80.
IGBT ha le caratteristiche combinate di MOSFET e transistor a giunzione bipolare (BJT). È pilotato da gate come un MOSFET e ha caratteristiche di tensione di corrente come i BJT. Pertanto presenta i vantaggi sia della capacità di gestione della corrente elevata che della facilità di controllo. I moduli IGBT (costituiti da un numero di dispositivi) gestiscono kilowatt di potenza.
Qual è la differenza tra IGBT e GTO?
1. Tre terminali di IGBT sono noti come emettitore, collettore e gate, mentre GTO ha terminali noti come anodo, catodo e gate.
2. Il gate del GTO necessita solo di un impulso per la commutazione, mentre l'IGBT necessita di un'alimentazione continua della tensione del gate.
3. IGBT è un tipo di transistor e GTO è un tipo di tiristore, che in analisi può essere considerato come una coppia di transistor strettamente accoppiati.
4. IGBT ha solo una giunzione PN e GTO ne ha tre
5. Entrambi i dispositivi sono utilizzati in applicazioni ad alta potenza.
6. GTO ha bisogno di dispositivi esterni per controllare lo spegnimento e l'accensione degli impulsi, mentre l'IGBT non ne ha bisogno.
